摘 要:AgCuV 合金導電滑環(huán)在進行超聲檢測時發(fā)現(xiàn)有內(nèi)部缺陷的存在.采用化學成分分析、 超聲檢測、金相檢驗、掃描電鏡及能譜分析等方法對 缺 陷 產(chǎn) 生 的 原 因 進 行 了 分 析.結(jié) 果 表 明: AgCuV 合金導電滑環(huán)經(jīng)超聲檢測發(fā)現(xiàn)的內(nèi)部缺陷是裂紋,脆性的含釩第二相與 AgCu合金基體的 結(jié)合力弱并且易碎,在應力集中處產(chǎn)生了微裂紋,微裂紋沿著第二相與基體結(jié)合力弱的部位擴展, 最終導致 AgCuV 合金導電滑環(huán)內(nèi)部缺陷的產(chǎn)生. 

關(guān)鍵詞:導電滑環(huán);超聲檢測;AgCuV 合金;裂紋;元素偏析;第二相 

中圖分類號:TG１４６           文獻標志碼:B           文章編號:１００１Ｇ４０１２(２０２０)０２Ｇ００３５Ｇ０４

導電滑環(huán)是將靜止設(shè)備上的各種信號傳輸給旋 轉(zhuǎn)設(shè)備,以實現(xiàn)兩個相對轉(zhuǎn)動機構(gòu)的圖像、數(shù)據(jù)信號 及動力傳遞的精密輸電裝置.近幾年該裝置已實現(xiàn) 了標準化、批量化生產(chǎn),被廣泛應用于安防、工廠自 動化、電力、儀表、航空、軍事等機電設(shè)備[１Ｇ３].導電 滑環(huán)由滑環(huán)和滑絲兩個主要部分組成,其中對于滑 環(huán),要求所用材料導電率高、導熱性能好、熔點高、電 阻溫度系數(shù)小的同時,還要具有較好的耐磨性和滑 動接觸特性[４Ｇ６].AgCuV 合金是銀基含銅和釩的三 元合金,具有較好的塑性加工能力[７],維氏硬度和抗 拉強度也較高,并且具有較低的電阻率[８Ｇ９],因此十 分適合用來制備導電滑環(huán). 

傳統(tǒng)的真空熔煉工藝,因熔鑄溫度高,澆鑄時縮 孔較大等特點[１０],釩很難直接熔鑄到 AgCu合金基 體中,且 熔 鑄 后 易 出 現(xiàn) 氣 孔、裂 紋 等 缺 陷 和 釩 在 AgCu合金基體中彌散不均等現(xiàn)象.導電滑環(huán)中若 存在內(nèi)部缺陷,如裂紋、氣孔、夾雜等[１１],在導電滑 環(huán)的使用過程中可能會產(chǎn)生尖端放電或電磁干擾等 情況,影響電流的傳輸,導致信號丟失[１２Ｇ１３].隨著 導電滑環(huán)使用時間的增加,導電滑環(huán)的淺層缺陷逐 漸顯露,使得導電滑絲與導電滑環(huán)表面接觸不良,導 致導電滑環(huán)出現(xiàn)環(huán)火燒損事故.因此,在 AgCuV 合金導電滑環(huán)投入使用前,有必要對其進行超聲檢 測,以保證導電滑環(huán)的質(zhì)量.某 AgCuV 合金導電 滑環(huán)在超聲檢測時發(fā)現(xiàn)其內(nèi)部有缺陷,筆者對其進 行了一系列檢驗及分析,以期此類缺陷不再產(chǎn)生.

１ 理化檢驗 

１．１ 化學成分分析 

依照 GB/T１５０７２．２－２００８«貴金屬合金化學分 析方法 銀合金中銀量的測定 氯化鈉電位滴定法»、 GB/T１５０７２．８－２００８«貴 金 屬 合 金 化 學 分 析 方 法 金、鈀、銀合金中銅量的測定 硫脲析出 EDTA 絡(luò)合 返滴定法»、GB/T１５０７２．１９－２００８«貴金屬合金化 學分析方法 銀合金中釩和鎂量的測定 電感耦合等 離子體原子發(fā)射光譜法»、GJB９５０A．１－２００８«貴金 屬及其合金微量元素分析方法 第１部分:電感耦合 等離子體原子發(fā)射光譜法»的要求,對該 AgCuV 合 金導電滑環(huán)進行化學成分分析,結(jié)果見表１.結(jié)果 表明該 AgCuV 合金導電滑環(huán)的銀、銅、釩及其他雜 質(zhì)元素均符合 GJB９５３A－２００８«貴金屬及其合金 板、片、帶材規(guī)范»對 AgCuV 合金化學成分的要求.

１．２ 超聲檢測

使用 CＧSCANＧARS 型 掃 描 檢 測 系 統(tǒng),依 照 GB/T２９７０－２０１６«厚 鋼 板 超 聲 檢 驗 方 法 »對 AgCuV 合金導電滑環(huán)的缺陷位置進行檢測.

AgCuV 合金導電滑環(huán)的厚度為５mm,外徑為 １２５ mm,內(nèi) 徑 為 １２０ mm,其 形 狀 示 意 圖 如 圖 １ 所示.

傳統(tǒng) 的 手 持 接 觸 法 超 聲 檢 測,因 厚 度 ５~ １０mm板材的檢測區(qū)處在近場區(qū)范圍,很難保證得 到試樣 缺 陷 的 真 實 情 況[１４].目 前 對 于 厚 度 小 于 １０mm的板材,沒有相應的超聲波檢測國家標準,因 此也沒有相應的對比試塊.依據(jù)試塊設(shè)計原則,設(shè) 計了與被檢測試樣具有相同聲程的試塊,然后對試 樣的缺陷反射波與對應深度的對比試塊的平底孔反 射波進行比較,表２為設(shè)計的對比試塊的信息.對 比試塊與被檢測試樣具有相同的表面狀態(tài)和厚度, 使用與被檢測試樣相同的材料制備,除人工缺陷外 再無其他缺陷.

在超聲檢測前對試樣表面進行磨拋處理,選用 １０MHz的聚焦探頭進行水浸超聲檢測[１５],結(jié)果如 圖２所示,圖２中導電滑環(huán)上方的倒三角為焊接焊 口.將底波出現(xiàn)衰減的位置與導電滑環(huán)表面對應觀 察,若未有表面?zhèn)?則可判斷該位置為內(nèi)部缺陷.

聯(lián)合 A 掃 曲 線,可 進 一 步 分 析 缺 陷 情 況, AgCuV 合金導電滑環(huán)的 A 掃曲線與 C 掃圖像如 圖３所示.可見 A 掃描曲線中底波衰減明顯,由此 可判斷該 AgCuV 合金導電滑環(huán)存在缺陷,并確定 了該 AgCuV 合金導電滑環(huán)的缺陷位置. 

１．３ 金相檢驗 

使用Zeiss型金相顯微鏡對 AgCuV 合金導電 滑環(huán)進行金相檢驗,依照 GB/T１３２９８－２０１５«金屬 顯微組織檢驗方法»進行金相試樣的制備與檢驗. 圖４為 AgCuV 合金導電滑環(huán)缺陷處的宏觀形貌.

在AgCuV合金導電滑環(huán)的缺陷處取樣,經(jīng)磨拋后,置于金相顯微鏡下觀察,如圖５所示.可見裂 紋擴展方向平行于圓環(huán)表面,裂紋內(nèi)部有明顯的分 叉現(xiàn)象,裂紋兩側(cè)不能完整地咬合在一起,且裂紋兩 側(cè)分布著較大的顆粒狀物質(zhì).

１．４ 掃描電鏡及能譜分析 

使用 Hitachi型掃描電鏡(SEM)對 AgCuV 合 金導電滑環(huán)缺陷處進行分析,如圖６所示.可見裂 紋近似直線,沿著導電滑環(huán)縱向擴展且有分叉.可 以判斷此裂紋是線狀裂紋,將裂紋按 T 型分析法進 行分析,如圖６a)中所標,A 為主裂紋,B 和 C 為二 次裂紋,O 為裂紋源.裂紋全長約為１００mm,在裂 紋兩側(cè)彌散著５~１４μm 的黑色顆粒狀物質(zhì).

對裂紋兩側(cè)的顆粒狀物質(zhì)進行能譜(EDS)分 析,分析結(jié)果如圖７所示.可見顆粒狀物質(zhì)主要成 分是釩元素,由圖７b)還可見裂紋兩側(cè)存在釩元素 的偏析.

２ 分析與討論

AgCuV 合 金 導 電 滑 環(huán) 的 化 學 成 分 符 合 GJB ９５３A －２００８ 中 對 AgCuV 合 金 成 分 的 要 求. AgCuV 合金導電滑環(huán)內(nèi)部裂紋的擴展方向并非垂 直于圓環(huán)表面,而是平行于圓環(huán)表面,裂紋內(nèi)部有明 顯的分叉現(xiàn)象,并且裂紋的兩側(cè)不能完整地咬合在 一起.通過 C掃圖像可知,裂紋在距離焊縫較遠的 位置,不在焊縫或者熱影響區(qū),由此可以推斷裂紋起 源于母材.裂紋兩側(cè)分布著較大的顆粒狀的物質(zhì),EDS分析顯示顆粒狀物質(zhì)主要成分是釩元素,裂紋 兩側(cè)存在釩元素的偏析. 

由于第二相與基體之間的結(jié)合力較弱,當受到 外力的作用時,容易在第二相和基體交界處,尤其在 第二相的尖角處產(chǎn)生應力集中.在應力集中處會較 早達到金屬的屈服點,引起塑性變形,當變形量超過 材料的極限變形程度,同時應力超過材料的極限強 度時便會在此處產(chǎn)生微裂紋.較大的第二相的存在 會使材料在很低的平均應力下產(chǎn)生裂紋,裂紋逐漸擴展.在均勻受力的情況下,裂紋總是沿著最小阻 力路線,即材料的薄弱環(huán)節(jié)處擴展.該 AgCuV 合 金導電滑環(huán)的裂紋就是沿著第二相與基體結(jié)合力弱 的部位擴展. 

３ 結(jié)論及建議

AgCuV 合金導電滑環(huán)經(jīng)超聲檢測發(fā)現(xiàn)的內(nèi)部 缺陷是裂紋,脆性的含釩第二相與 AgCu合金基體 的結(jié)合力弱并且易碎,在應力集中處產(chǎn)生了微裂紋, 微裂紋沿著第二相與基體結(jié)合力弱的部位擴展,最 終導致 AgCuV 合金導電滑環(huán)內(nèi)部缺陷的產(chǎn)生.

建議在 AgCuV 合金導電滑環(huán)澆鑄時加大冷卻 速率,使釩元素均勻分散在 AgCu合金基體中;或者 采用冷等靜壓、真空燒結(jié)、擠壓等粉末冶金技術(shù)來制 備 AgCuV 合金導電滑環(huán).

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<文章來源> 材料與測試網(wǎng) > 期刊論文 > 理化檢驗－物理分冊 > 56卷 > 2期 (pp:35-38) >